課程大綱：
一、 SDRAM 基本結構（1h）
1. 名詞解釋；
2. SDRAM的物理BANK；
3. 芯片位寬；
二、 SDRAM邏輯BANK（1h）
1. 邏輯BANK與芯片位寬；
2. 內(nèi)存芯片容量
3. 芯片位寬相關設計技術；
三、 SDRAM的引腳與封裝（1h）
1. SDRAM信號（引腳）標準；
2. 54pin TSOP引腳設計；
3. 引腳代號及定義；
4. SDRAM不同型號封裝標準；
四、 SDRAM芯片初始化（1h）
1. SDRAM內(nèi)部結構；
2. SDRAM初始化進程；
3. SDRAM初始化參數(shù)設置；
五、 SDRAM工作原理（3h）
1. 行有效；
2. 列讀寫；
3. 讀數(shù)據(jù)；
4. 寫數(shù)據(jù)；
5. 突發(fā)長度；
六、 SDRAM的預充電與刷新操作（1h）
1. 預充電；
2. 刷新；
3. 數(shù)據(jù)掩碼；
4. SDRAM工作流程圖解
七、 SDRAM結構、時序與性能關系（1h）
1. 影響性能的主要時序參數(shù)
2. 增加PHR方法；
3. 內(nèi)存結構對PHR影響；
4. 讀/寫延遲差異對性能影響；
5. BL對性能影響；
八、 DDR SDRAM技術 （2h）
1. DDR含義；
2. DDR基本原理；
3. DDR SDRAM技術特點；
4. 差分CLOCK；
5. DQS；
6. 寫延遲；
7. 突發(fā)長度與寫入掩碼；
8. DLL技術；
九、 DDR II 技術 （3h）
1. DDRII 技術特點；
2. DDRII 結構；
3. OCD技術；
4. ODT技術；
5. PCAS；
6. 附加潛伏期；
7. 寫入潛伏期；
8. DDRII封裝技術；
十、 DDRIII技術（2h）
1. DDRIII技術特點；
2. BL；
3. Timing；
4. Reset 功能；
5. ZQ校準；
6. P2P技術；
